掩膜板製造（激光直寫系統）

我們為香港科技大學校內和校外用戶提供掩膜板製造服務。納米系統製造實驗中心(清水灣)設有激光直寫系統供製作掩膜板之用。按此了解系統的詳細規格。

校內用戶如欲製作掩膜板，請透過我們的設備預約系統提交申請。

校外用戶請按此了解申請程序。

用戶要求以激光直寫系統製作掩膜板時，須注意以下各點：

• 我們只接受以GDSII和CIF檔案格式提交的激光掩膜板作業申請。
• 所有圖形版圖均應在第一象限內（例如圖形的x-y座標為正數值）。
• 作業中每塊掩膜板都應有相應的數據檔案，而每個數據檔案只有一層掩膜。
• 版圖中每層掩膜應保持相同的參考位置，所以每層掩膜在起始位置應有軸心點（例如1微米方塊），以及相應的右上角位置（如X最高值和Y最高值）。
• 激光系統的網格為0.2微米，任何於網格外的圖形均會被捨入到網格位置。
• 如果光刻時，你的掩膜板正面會朝下，基板上所得到的的圖形將會被左右鏡像。為求圖形正確，版圖中的圖形應為先做鏡像。
• 不應使用路徑/線來繪畫圖形，以免線條的長度和拐角（結合處）與你的設計不符。
• 激光系統能實現的最小尺寸為1.0微米，任何小於1.0微米線條均有可能無法實現。
• 整個版圖呎吋應該小於或等於105mm x 105mm。
• 製作暗場掩膜板時，繪有圖形的部分在掩膜板上將是透明的。
• 製作亮場掩膜板時，沒有圖形的部分在掩膜板上將是透明（例於在（0，0 ）和（X最高值，Y最高值）之內）。
• 如你以GDS格式提交掩膜數據，請提供每層掩膜最頂單元的相關資料。
• 如你以CIF格式提交掩膜數據，你應以L-Edit設定最頂單元或製造單元。
• 你應登入你的納米系統製造實驗中心(清水灣)網站賬戶提交掩膜板作業申請，以確認一切所需資料。
• 請列印你的掩膜板作業申請表，在領取掩膜板時遞交已簽妥的表格。（例如，表格應由你的預算主管簽署。）

掩膜板製造（電子束光刻系統）

• 電子束系統所支持的基板：（一）5吋x 5吋x 0.09吋掩膜板； （二）4吋、 3吋或 2吋晶片； （三）2厘米x 2厘米、1.5厘米 x 1.5厘米，或 1厘米 x 1厘米的方形晶片樣本。
• 實驗所提供正、負電子束光刻膠。
• 我們只接受GDSII或 CIF格式的圖形檔案。
• 如提交GDSII圖形檔案，須提供最頂單元名稱。
• 如提交CIF圖形檔案，應以L-Edit程式設定最頂單元或製造單元。
• 如需寫多於一層的圖形，每層圖形應獨立儲存於相應的檔案，而每個檔案也只可有一層圖形。
• 為了確保總面積一致，以及每層掩膜均準確地重疊對位，應於圖形的左上角和右下角加上光標（0.5微米方塊）。
• 如需寫多於一層的圖形，進行電子束光刻前應先在基板加上全局及局部對準標記。如欲獲得更多標記功能和位置的相關資訊，請與Nelson聯絡 (eenelson@ust.hk) 。
• 電子束光刻工序根據製作時間收費。為求更準確地估計成本，請將圖形檔案發送給我們(eenelson@ust.hk) 以估算所需製作時間。

納米系統製造實驗中心(清水灣)設有電子束光刻系統供掩膜板製造之用。按此了解系統的規格和使用系統的要求。