Process Information
工藝驗証指引
甲．總述
一． 本指引的目的是，按照本實驗所管制污染的規定，闡明給本實驗所的使用人仕，哪些工藝能被許可進行，哪些工藝不被許可進行，從而，幫助他們驗証他們的制作流程的可行性。
二． 除了符合本指引的要求外，晶片必須符合個別機台或模組的規格。
乙．三個潔淨級別
一． 所有在無塵房內的藥品，物料，晶片以及機台，都已按照其潔淨程度和它們的工藝兼容性分為多個組別。
二．《乙一》所述的潔淨程度，共分為三個級別，每個級別是按照它所能承受的污染風險而釐定：
第一級． 潔淨(CLEAN)：此級別所能承受的風險為最低，它所構成的風險也相對為最低。
第二級．半潔淨(SEMI-CLEAN)：此級別只能承受有限的風險，它所構成的風險也為中等。該級別內的污染問題主要是由下列常規物料的離子所做成。
1 氧化銦錫(ITO)
2 鋁
3 鉻
4 鈦
5 金钃誘導橫向結晶(MILC)的晶片
6 玻璃 (Corning 1737 或以上 )
第三級．非常規(NON-STANDARD)：此級別能承受最大的風險，它所構成的風險也為最大。該級別內的污染問題主要是由下列非常規物料的離子所做成。
1 進行過剝離工藝(LIFTOFF)的晶片
2 曾在非常規機台上進行過工藝的晶片
3 銅
4 鐵
5 金
6 白金
7 銀
8 碘化鉀
9 氫氧化鉀
10 氮/砷化鎵
11 印刷電路板(只適合於光刻)
12 玻璃
13 鎳 (非用於金钃誘導橫向結晶的工藝(MILC) )
14 所有未分級別的藥品和物料
丙．工藝兼容性
一． 除了潔淨級別外，所有晶片，工藝和機台也再細分為CMOS兼容和NON-CMOS。
a. 《CMOS 兼容的機台》意即《ELEC508在前段工藝流程中所使用的機台。《CMOS 兼容的晶片和工藝》意即《與ELEC508的前段工藝流程一致的晶片和工藝》，而且該些晶片的制作目的必須與ELEC508相符。
b. 有不包括在(a)以內的都會定為NON-CMOS。
丁．評估晶片的潔淨指數
一． 晶片的潔淨指數是由潔淨級別加上工藝兼容性所組成，此指數是跟據晶片過往的工藝記錄而釐定。注意：晶片的潔淨指數並非固定不變，它會隨制作過程而變化。
二. 向下兼容：晶片的潔淨指數擁有向下兼容性。晶片只可在那些相等於或比其潔淨指數低的機台上進行工藝。例如，SEMI-CLEAN的晶片可以在SEMI-CLEAN或NON-STANDARD的機台上進行工藝。又例如，CMOS兼容晶片可在NON-CMOS的機台上進行工藝。但是，這些晶片的潔淨指數會而此而被降級。
三. 倒過來不行：晶片的潔淨指數不是向上兼容的。一旦晶片與較低檔次的組別的任何物件接鐲，該晶片馬上會被當作已被污染，而該晶片的潔淨指數也會相對地被調低。這即是說，晶片一旦被污染了就不可回到原來的潔淨組別。
戊．多重組別的機台
一．因資源有限，有些不容易受污染的機台會被安排用來處理多組的工藝。以CF3000離子注入機為例，它能處理CLEAN，SEMI-CLEAN，CMOS兼容和/或NON-CMOS的晶片。
二．晶片的潔淨指數一般都不會受到這類機台影響。但如碰到晶片的潔淨級別/工藝兼容性比機台高時，晶片的潔淨指數就按《丁》所述的規定下調。
己、
一．《丁三》的規定有一個例外情況：某些SEMI-CLEAN晶片經過除污後可回到CLEAN的組別內。但無論如何，所有NON-STANDARD和大部分的SEMI-CLEAN晶片是不允許進行這個除污工藝。
二． 容許除污的晶片只包括： · 經過適當處理的SEMI-CLEAN的化學機械拋光晶片和 · SEMI-CLEAN的金钃誘導橫向結晶的晶片(MILC)，(該晶片的結晶過程必須恰當)
三． 除污後，晶片的潔淨指數會被定為"CLEAN、NON-CMOS" ，並可回到CLEAN的組別內。