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工藝驗証指引 (25/Sep/2017)

甲．總述

一、本指引的目的是，按照本實驗所管制污染的規定，闡明給本實驗所的使用人士，哪些工藝可能被許可進行，哪些工藝不被許可進行，從而，幫助他們驗証他們的制作流程的可行性。

二、除了符合本指引的要求外，晶片必須符合個別機臺或模組的規格。

乙．三個潔淨級別

一． 所有在無塵房內的化學品，物料，樣品及機臺， 都已按照它們的潔凈級別化為三個等等級。

二. 《乙一》所述的潔凈程度，共分為三個級別，每個級別是按照它所能承受的污染風險而求設定

第一級：潔凈(Clean): 此級別所能承受的風險為最低，它所構成的風險也相對為最低.

第二級：半潔凈(Semi-Clean): 此級別只能承受有限的風險，它所構成的風險為中等。該級別內的污染問題主要是由下列常規物料的離子所構成。

第三級. 非常規(Non-Standard): 此級別能承受最大的風險，它所構成的風險也為最大。該級別內的污染問題主要是同下列非常規物料及其離子所構成。

丙．評估晶片的潔凈級別:

一．晶片的潔凈級別是根據晶片過往的工藝記錄而確定。注意：晶片的潔凈級別并非固定不變，它會隨制作過程而變化。

二． 向下兼容：晶片的潔凈級別擁有向下兼容性。晶片只可在那些相等于或比其潔凈等等級低的機臺上進行藝。例如：潔凈的晶片可以在潔凈，半潔凈和非常規的機臺上進行工藝。而半潔凈的晶片可以在半潔凈和非常規的機臺上進行工藝。但是這些晶片的潔凈級別也會隨機臺的潔凈級別而降級。

三．不可逆性：晶片的潔凈級別不是向上兼容的。一旦晶片與較低級別的任何物件接解觸，該晶片馬上會被當作已經被污染，而該晶片的潔凈等級也會相對地被調低。這即是說，晶片一旦被污染就不可再回到原來的潔凈組別。

丁. 多重組別的機臺:

一．由于資源有限，有些不容易受到污染的機臺會被安排用來處理多個潔凈等級的晶片. 以CF-3000離子注入機為例，它能處理Clean，Semi-Clean的晶片.

二．晶片的潔凈級別一般都不會受到這類機臺影響。但如果碰到晶片的潔凈等等級比機臺高時，晶片的潔凈指數就安《丙》所述的規定下調。

戊．除污工藝和要求:

一．《丙三》的規定有一個例外情況：某些Semi-Clean晶化經過除污后可回到Clean的組別內。但無論如何，所有Non-standard 和大部分的Semi-Clean晶片并不適用。

二．容許除污的晶片只包括：經過適當處理的Semi-clean的化學機拋光晶片

三．除污后，晶片的潔凈等級被定為"Clean"， 并可回到Clean 的組別內。