工藝資訊

常見錯誤

使用標準格式並不能確保你的工藝流程會得到批准。核對格式後，你應該細心檢查你的晶片潔淨級別是否符合「工藝驗證指引」的要求。除此之外，你必須考慮你的工藝是否會損壞任何你打算使用的設備。此頁列出用戶常犯的錯誤：

1. 過於簡化：雖然塗膠、去膠、顯影、後烘、預烘、去底膠、六甲基二硅氮烷塗底和晶片清洗等重要工藝很難被忽略，但不少人依然忘記。納米系統製造實驗中心(清水灣)超過一半污染事故是由於忽略以上一個或多個工藝而造成的。

你能指出以下例子的錯誤嗎？

提示：光刻膠如何塗於晶片上？

2. 初始晶片狀態錯誤：舉例說，你不能聲稱玻璃的初始晶片潔淨級別是「CLEAN 」，因為它已在「工藝驗證指引」文件乙部中被界定為非常規。然而，這是很多人都會犯的錯誤，令申請出師不利。如他們一早閱讀這頁，工藝流程就不會瞬間被拒絕。

你知道如何改正以下的工藝流程嗎？

發光二極管工藝流程

基板：氮化鎵晶片；尺寸：直徑兩吋 x 厚度 XXX

提示：一旦初始潔淨級別被修改，工藝流程的餘下內容都要更改。

3. 不兼容的設備潔淨級別：「工藝驗證指引」文件丙部清楚說明如何評估晶片潔淨級別。細閱這部份後，你應該很清楚下一步驟可使用那些機器，而那些與當前的步驟不兼容。很多被拒絕的工藝流程反映用戶很多時不知道這一點。

以下工藝流程有什麼錯處？

提示：修改一項後，可能後續的每個項都要更改。

4. 錯誤的去膠工藝：用戶在納米系統製造實驗中心(清水灣)內可使用多種除光刻膠方法，應使用那個工藝視乎晶片的潔淨級別而定。如你的晶片是潔凈的，你當然可使用硫酸去除光刻膠。但如果你的晶片屬半潔凈，所需工藝將取決於晶片上的材料，不同材料需要不同的處理方法。金屬誘導横向結晶晶片和沒有金屬或硅化物的晶片都可使用硫酸，但含有標準金屬的晶片必須以MS2001而非硫酸處理，因為酸會侵蝕金屬，而形成金屬離子，被金屬離子污染的溶液會從而污染潔凈的晶片。

以下工藝流程應如何修改？

經高溫處理的光刻膠，如離子注入、長時間等離子蝕刻和高溫後烘，都不能只靠濕法處理去除光刻膠。此外，經注入處理的光刻膠與離子有大量連結，因此強烈建議用戶於濕法工藝前先以氧氣灰化進行光刻膠刻蝕。

5. 濫用除污工藝：除污不是萬能的。正如「工藝驗證指引」文件戊部清楚指出，並非每個樣本都可進行除污。如果你晶片是非常規樣本，根本不需要考慮除污，只有某些半潔凈晶片可以除污。要確定您的晶片是否可除污，請回答以下問題（我們稱之為「除污測試」）：

1.你的晶片屬不潔淨，是否純粹因為經過化學機械研磨處理及其經過後CMP清洗？

如你對以上任何一條問題回答「是」，恭喜你！你可將你的晶片進行除污處理。

你知道如何修改以下的工藝流程嗎？

提示：將工藝流程由三個步驟簡化至兩個。

6. 將低應力氮化物誤作氧化掩膜：低應力氮化物的物理特性與正常氮化物不同。在厚度方面，正常氮化物無法媲美低應力氮化物，但低應力氮化物其中一個缺點是遇熱膨脹時可能會裂開。如使用低應力氮化物作氧化掩膜，可引致嚴重污染。

7. 雙面除膠：SVG塗膠機和顯影機不可進行雙面塗膠，因為另一邊的光刻膠會污染卡盤。因此，如果你堅持雙面塗膠，必須使用手動塗膠機，但完成雙面塗膠後，絕不能用潔凈設備處理晶片。另外，你也不可以使用某些半潔凈設備，如CF3000注入機，處理雙面塗膠晶片。曾經有一次晶片被卡於注入機的卡盤上，晶片背面的光刻膠令晶片與卡盤粘在一起，因而無法取出晶片。最後，如果你打算進行雙面塗膠，請在用戶申請中清楚說明，因為工藝流程未必能清楚反映這一點。

8. 晶圓邊緣塗膠：如果你決定將光刻膠塗於晶片邊緣以防止其被蝕刻，那一塊晶片絕不能再用半潔凈或潔凈設備處理。因為，任何邊緣塗上光刻膠的晶片都很容易造成污染。

9. 省略注入和乾法刻蝕前的背面沖洗步驟：如你使用光刻膠作為注入或乾法刻蝕的掩膜，請確保於注入或乾法刻蝕前清洗晶片背面，以去除晶片的邊緣和背面上的光刻膠。否則，光刻膠會殘留於注入機或乾法刻蝕機的卡盤上，引致污染。